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[반도체 공정] #2. 산화공정(Oxidation) 이론(2)

산화공정(Oxidation) 이론(1)에 이어서 남은 이론에 관해 설명하겠다. Factors Affecting Oxidation Rate (산화 속도 영향 인자) Deal Grove Model식의 파라미터(A, B, τ)들은 각종 변수들에 의해 값이 변한다.온도 (Temperature)산화제 종류 (Oxidation Species: Dry vs Wet)압력 (Pressure)결정 방향 (Orientation)도핑 (Doping)분위기 가스 (Gas Ambient: Cl2 등) Temperature & Oxidation Species 모든 속도 상수(B, B/A)는 온도에 대해 지수함수적으로 증가하는 아레니우스 거동(Arrhenius Behavior)을 나타낸다. 이때 왜 속도 상수들이 아레니우스 거동을 ..

Semi-Conductor/ISRC 교육 기록 2026.02.18
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반도체를 공부하고 있는 화학공학과 학부생입니다. 아직 배우는 단계라 정보 전달 및 제공에 오류가 있을 수 있습니다.

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학습일기, 대학생블로그, 평균자유행로, 진공게이지, 반도체, 산화속도, 반도체공정, MOSCAP, 반도체실습, 습식, MOSFET, Deal-Grove model, 건식, 화학공학, 화공, 초고진공, 열팽창, 산화공정, ISRC, CV그래프,

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